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SK海力士已開發基于321層1Tb 4D NAND閃存的UFS 4.1產品,厚度減少15%

SK海力士宣布,已開發出UFS 4.1產品,采用了全球最高的321層1Tb 4D NAND閃存,適用于移動應用,可選512GB和1TB兩種容量。SK海力士表示,正通過構建具有AI技術優勢的產品組合來擴大其在NAND領域作為全棧AI內存提供商的地位。
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這一發展是在NAND解決方案產品對高性能和低功耗的要求日益增加的情況下進行的,以確保設備上AI應用程序穩定運行。SK海力士預計,針對AI工作負載優化的UFS 4.1產品將有助于增強其在旗艦智能手機市場的內存領導地位。其提供了4300MB/s的數據傳輸速度,同時通過提高隨機讀寫速度來提供一流的性能,相比于之前的第四代UFS產品分別降低了15%和40%。

隨著對設備端AI的需求增加,設備計算能力和電池效率之間的平衡變得更加重要,移動市場現在要求移動設備的輕薄性和低功耗。與上一代基于238層NAND閃存的產品相比,電源效率提高了7%,厚度從之前的1毫米降至0.85毫米,可以更好地適應超薄智能手機。

SK海力士計劃在今年內獲得客戶資格,并從明年第一季度開始批量發貨。另外SK海力士還會面向消費者和數據中心帶來基于321層1Tb 4D NAND閃存打造的SSD,計劃今年內完成開發。

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