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準備彎道超車!三星啟動1nm工藝研發,力求2029年量產

據報道,為了應對臺積電,三星電子半導體研究所已經成立了1nm芯片的工藝研發團隊,并抽調了部分參與過2nm等尖端制程的研發人員加入其中,掉隊的三星準備要搞起彎道超車了。

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1nm工藝是三星“夢想中的半導體工藝”,想要成功實現,需要引入全新的技術概念和高數值孔徑極紫外(High-NA EUV)設備?,F在在三星公開的晶圓代工工藝路線圖中,目前下一代的尖端工藝是2027年量產1.4nm,量產1nm則是2029年的目標。而要想實現1nm工藝的難度非常巨大,臺積電自己都在摸索中,所以沒有人敢打包票什么時候能夠成功量產1nm芯片,但三星無疑是這里面最著急的。在內部,三星集團會長李在镕已經多次強調要“延續重視技術的傳統”,并表示要“以前所未有的技術引領未來”。

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在3nm制程爭奪戰中,三星想要另辟蹊徑,拋棄了傳統的FinFET技術,選擇采用更為先進的GAA架構,但GAA的水太深,三星沒有把握住,導致其良率大打折扣。反觀仍然選擇“老舊”的FinFET技術的臺積電,直接把3nm良率做到了80%以上,直接把三星揍得體無完膚,讓三星失去了巨大的市場份額,甚至使其在2nm制程上也落后于臺積電。臺積電和三星兩大巨頭的商戰,非常形象地演繹了“對手的失誤就是我們的勝利”這句話的精髓。

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落后就要挨打,急了的三星必須抓緊搶時機,畢竟任何一個行業都不希望看到有企業一家獨大,當年Intel遙遙領先AMD后就學會了擠牙膏,直到AMD打出了漂亮的翻身仗,才有了廣大玩家臉上的笑容。希望三星和臺積電的這場硬仗,也會迎來“AMD YES!”時刻。

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